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OPTO SEMICONDUCTOR
LIGHT RECEIVING ELEMENT
品番 特徴 樹脂色 有効受光面 有効受光面 コレクタエミッタ間電圧 コレクタ電流 動作温度 動作温度 短絡電流 短絡電流 光電流 光電流 光電流 光電流 暗電流 暗電流 端子間容量 端子間容量 電極間抵抗 分光感度 分光感度 ピーク感度波長 半値角 半値角
  x y Vceo Pc Topr. Topr. Isc Ev IL IL VCE Ev Id VR Ct VR Rs λ λ λP Δθ Δθ
                            測定条件   測定条件         代表特性 代表特性
          Min. Max. Typ.   Min. Typ.     Max.   Typ.   Typ. Min. Max. Typ. Min. Max.
SP-1ML 規格書表單 フォトダイオード 透明 1.2 mm 1.2 mm     -20 ℃ 90 ℃ 15 μA 1000 lx - - - - 100 nA 5 V 50 pF     450 nm 1050 nm 900 nm *-60 ° *60 °
SP217 規格書表單 		フォトダイオード 透明 4.5 mm 4.5 mm     -20 ℃ 70 ℃ 180 μA 1000 lx         1000 nA 5 V 160 pF     450 nm 1050 nm 920 nm *-65 ° *65 °
HP333 規格書表單 フォトダイオード 透明 0.7 mm 0.7 mm     -25 ℃ 85 ℃ 7 μA 500 lx - - - - 50 nA 10 V 5.8 pF 10 V   400 nm 1100 nm 850 nm *-30 ° *30 °
HP5FR2 規格書表單 フォトダイオード 透明 3 mm 3 mm     -30 ℃ 70 ℃ 60 μA 1000 lx - - - - 100 nA 10 V 175 pF     700 nm 1050 nm 940 nm *-60 ° *60 °
HP5FR4 規格書表單 フォトダイオード 可視光カット 3 mm 3 mm     -30 ℃ 70 ℃ 32 μA 1000 lx - - - - 100 nA 10 V 175 pF     880 nm 1050 nm 940 nm *-60 ° *60 °
HP601 規格書表單 フォトダイオード 可視光カット 0.7 mm 0.7 mm     -25 ℃ 80 ℃ 32 μA 1000 lx - - - - 50 nA 10 V 5.8 pF 10 V   400 nm 1100 nm 900 nm *-65 ° *65 °
HPI23G 規格書表單 PINフォトダイオード 透明 1.2 mm 1.2 mm     -20 ℃ 85 ℃ 16 μA 1000 lx - - - - 100 nA 10 V 13 pF     450 nm 1050 nm 900 nm *-30 ° *30 °
HPI307 規格書表單 PINフォトダイオード 透明 3 mm 3 mm     -30 ℃ 70 ℃ 75 μA 1000 lx - - - - 100 nA 10 V 94 pF     450 nm 1050 nm 940 nm *-70 ° *70 °
HPI307R2 規格書表單 PINフォトダイオード 透明 3 mm 3 mm     -30 ℃ 70 ℃ 65 μA 1000 lx - - - - 100 nA 10 V 95 pF     700 nm 1050 nm 920 nm *-70 ° *70 °
HPI304R4L 規格書表單 PINフォトダイオード 可視光カット 1.2 mm 1.2 mm     -30 ℃ 70 ℃ 8 μA 1000 lx - - - - 100 nA 10 V 6 pF 10 V   860 nm 1100 nm 960 nm *-45 ° *45 °
HPI340 規格書表單 PINフォトダイオード 可視光カット 2.7 mm 2.7 mm     -25 ℃ 85 ℃ 19 μA 1000 lx - - - - 10 nA 10 V 3 pF 5 V   450 nm 1100 nm 920 nm *-40 ° *40 °
HPI340R2 規格書表單 PINフォトダイオード 透明 2.7 mm 2.7 mm     -30 ℃ 85 ℃ 85 μA 1000 lx - - - - 50 nA 10 V 13 pF 5 V   400 nm 1100 nm 1000 nm *-70 ° *70 °
HPI5FCR2 規格書表單 PINフォトダイオード 可視光カット 2.7 mm 2.7 mm     -30 ℃ 85 ℃ 73 μA 1000 lx - - - - 50 nA 10 V 13 pF 5 V   700 nm 1100 nm 1000 nm *-70 ° *70 °
HPI6FER2 規格書表單 PINフォトダイオード 可視光カット 2.3 mm 2.3 mm     -30 ℃ 70 ℃ 45 μA 1000 lx - - - - 100 nA 10 V 49 pF     700 nm 1050 nm 1000 nm *-70 ° *70 °
HPI6FGR4 規格書表單 PINフォトダイオード 可視光カット 2 mm 2 mm     -30 ℃ 70 ℃ 56 μA 1000 lx - - - - 100 nA 10 V 48 pF     700 nm   1000 nm *-50 ° *50 °
HPI6FFR2 規格書表單 PINフォトダイオード 可視光カット 1.6 mm 1.6 mm     -30 ℃ 70 ℃ 24 μA 1000 lx - - - - 10 nA 100 V 24 pF     800 nm 1050 nm 1000 nm *-40 ° *40 °
HPI6FH 規格書表單 PINフォトダイオード 可視光カット 1.2 mm 1.2 mm     -30 ℃ 70 ℃ 20 μA 1000 lx - - - - 100 nA 10 V 16 pF     800 nm 1050 nm 1000 nm *-35 ° *35 °
HPI615 規格書表單 PINフォトダイオード 透明 0.7 mm 0.7 mm     -20 ℃ 80 ℃ 12 μA 1000 lx - - - - 50 nA 10 V 6 pF     450 nm 1050 nm 900 nm *-30 ° *30 °
HPI215 規格書表單 PINフォトダイオード 透明 1.6 mm 1.6 mm     -20 ℃ 70 ℃ 34 μA 1000 lx - - - - 1000 nA 5 V 16 pF     450 nm 1100 nm 1000 nm *-65 ° *65 °
HPI25 規格書表單 PINフォトダイオード 透明 2.8 mm 1.4 mm     -30 ℃ 100 ℃ 3.4 μA 1000 lx - - - - 50 nA 10 V 5.8 pF     400 nm 1100 nm 900 nm *-65 ° *65 °
HPI-2464 規格書表單 PINフォトダイオード（2分割PINフォトダイオード） 透明 1.585 mm 0.97 mm     -25 ℃ 85 ℃ 17 μA 1000 lx - - - - 20 nA 10 V 10 pF     450 nm 1050 nm 740 nm *-65 ° *65 °
HPI-2464R5 規格書表單 PINフォトダイオード（2分割PINフォトダイオード） 透明 1.585 mm 0.97 mm     -25 ℃ 85 ℃ 9.5 μA 1000 lx - - - - 20 nA 10 V 10 pF     700 nm 1050 nm 940 nm *-65 ° *65 °
HPI610A 規格書表單 PINフォトダイオード（2分割PINフォトダイオード） 透明 1.585 mm 0.97 mm     -20 ℃ 80 ℃ 17 μA 1000 lx - - - - 20 nA 10 V 10 pF     450 nm 1050 nm 740 nm *-65 ° *65 °
ST-1CL3H 規格書表單 フォトトランジスタ 透明 0.8 mm 0.8 mm 20 V 75 -20 ℃ 70 ℃     0.08 mA 1.5 mA 3 V 1000 lx 200 nA 10 V       480 nm   800 nm *-50 ° *50 °
ST-1KB 規格書表單 フォトトランジスタ 可視光カット 1 mm 1 mm 40 V 150 -30 ℃ 100 ℃     0.5 mA 2 mA 10 V 200 lx 200 nA 10 V       500 nm 1050 nm 880 nm *-50 ° *50 °
ST-1KL3A 規格書表單 フォトトランジスタ 透明 0.6 mm 0.6 mm 40 V 150 -30 ℃ 100 ℃     1.5 mA 5 mA 10 V 200 lx 200 nA 10 V       500 nm 1050 nm 880 nm *-6 ° *6 °
ST-1KL3B 規格書表單 フォトトランジスタ 透明 0.6 mm 0.6 mm 40 V 150 -30 ℃ 100 ℃     1.5 mA 5 mA 10 V 200 lx 200 nA 10 V       500 nm 1050 nm 880 nm *-6 ° *6 °
ST-1KLA 規格書表單 フォトトランジスタ   1 mm 1 mm 40 V 150 -30 ℃ 100 ℃     1.5 mA 6 mA 10 V 200 lx 200 nA 10 V       500 nm 1050 nm 880 nm *-15 ° *15 °
ST-1KLB 規格書表單 フォトトランジスタ   1 mm 1 mm 40 V 150 -30 ℃ 100 ℃     1.5 mA 6 mA 10 V 200 lx 200 nA 10 V       500 nm 1050 nm 880 nm *-15 ° *15 °
ST-1MLA 規格書表單 フォトトランジスタ   1 mm 1 mm 40 V 100 -25 ℃ 90 ℃     0.5 mA 2 mA 10 V 200 lx 200 nA 10 V       500 nm 1050 nm 880 nm *-70 ° *70 °
ST-1MLB 規格書表單 フォトトランジスタ   1 mm 1 mm 40 V 100 -25 ℃ 90 ℃     0.5 mA 2 mA 10 V 200 lx 200 nA 10 V       500 nm 1050 nm 880 nm *-70 ° *70 °
ST-1MLBR2 規格書表單 フォトトランジスタ   1 mm 1 mm 40 V 100 -25 ℃ 90 ℃     0.5 mA 1.2 mA 10 V 200 lx 200 nA 10 V       720 nm 1050 nm 940 nm *-70 ° *70 °
ST23G 規格書表單 フォトトランジスタ 透明 0.6 mm 0.6 mm 30 V 100 -20 ℃ 100 ℃ - - 1.36 mA - 5 V 1000 lx 100 nA 10 V       500 nm 1050 nm 880 nm *-30 ° *30 °
ST333R4 規格書表單 フォトトランジスタ 透明 0.6 mm 0.6 mm 30 V 75 -25 ℃ 85 ℃ - - 0.6 mA - 5 V 1000 lx 100 nA 10 V       870 nm 1100 nm 960 nm *-20 ° *20 °
ST333R4F1 規格書表單 フォトトランジスタ 透明 0.6 mm 0.6 mm 30 V 75 -25 ℃ 85 ℃ - - 0.6 mA - 5 V 1000 lx 100 nA 10 V       870 nm 1100 nm 960 nm *-20 ° *20 °
ST341R2 規格書表單 フォトトランジスタ 可視光カット 0.6 mm 0.6 mm 30 V 75 -20 ℃ 85 ℃ - - 0.76 mA - 5 V 200 lx 100 nA 10 V       720 nm 1050 nm 880 nm *-20 ° *20 °
ST601 規格書表單 フォトトランジスタ 可視光カット 0.8 mm 0.8 mm 20 V 75 -25 ℃ 80 ℃ - - 0.08 mA - 3 V 1000 lx 200 nA 10 V       480 nm   800 nm *-65 ° *65 °
ST615 規格書表單 フォトトランジスタ 可視光カット 0.6 mm 0.6 mm 30 V 75 -25 ℃ 80 ℃ - - 3.4 mA - 5 V 1000 lx 100 nA 10 V       500 nm 1050 nm 880 nm *-30 ° *30 °
SD-101 規格書表單 半導体位置検出素子（PSD） 透明 2.02 mm 1 mm     -25 ℃ 85 ℃ - - - 18 mA   1000 lx 5 nA 1 V 10 pF   150 kΩ 400 nm 1100 nm 900 nm    
SD-201 規格書表單 半導体位置検出素子（PSD） 透明 3.02 mm 1 mm     -25 ℃ 85 ℃ - - - 30 mA   1000 lx 10 nA 1 V 10 pF   150 kΩ 400 nm 1100 nm 940 nm    
SD-102 規格書表單 半導体位置検出素子（PSD） 可視光カット 2.02 mm 1 mm     -25 ℃ 85 ℃ - - - 11 mA   1000 lx 2 nA 1 V 10 pF   150 kΩ 700 nm 1100 nm 920 nm    
SD-103 規格書表單 半導体位置検出素子（PSD） 透明 2.02 mm 1 mm     -25 ℃ 85 ℃ - - - 10 mA   1000 lx 5 nA 1 V 10 pF   150 kΩ 720 nm 1100 nm 940 nm    
SD-202 規格書表單 半導体位置検出素子（PSD） 可視光カット 3.02 mm 1 mm     -25 ℃ 85 ℃ - - - 16 mA   1000 lx 10 nA 1 V 10 pF   150 kΩ 700 nm 1100 nm 940 nm    
SD-503 規格書表單 半導体位置検出素子（PSD） 可視光カット 1.5 mm 1 mm     -25 ℃ 85 ℃ - - - 9 mA   1000 lx 5 nA 1 V 5 pF   150 kΩ 720 nm 1100 nm 940 nm    
SD-612 規格書表單 半導体位置検出素子（PSD） 可視光カット 1.25 mm 1 mm     -25 ℃ 85 ℃ - - - 9 mA   1000 lx 5 nA 1 V 10 pF   150 kΩ 700 nm 1100 nm 920 nm    
SD-112 規格書表單 半導体位置検出素子（PSD） 可視光カット 2.02 mm 1 mm     -25 ℃ 85 ℃ - - - 11 mA   1000 lx 5 nA 1 V 10 pF   150 kΩ 700 nm 1100 nm 920 nm    
SD-112F2 規格書表單 半導体位置検出素子（PSD） 可視光カット 2.02 mm 1 mm     -20 ℃ 85 ℃ - - - 11 mA   1000 lx 5 nA 1 V 10 pF   150 kΩ 700 nm 1100 nm 920 nm    
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